LPDDR4 & LPDDR4XモバイルSDRAM

ISSI LPDDR4およびLPDDR4X SDRAMは、低電圧メモリデバイスで、2Gb、4Gb、8Gbの密度でご用意があります。これらのデバイスは低電圧コアとI/O電力要件により、モバイルアプリケーションに最適です。LPDDR4およびLPDDR4X SDRAMには、10MHz~1600MHzのクロック周波数範囲およびI/Oあたり最大3200Mbpsのデータレートが備わっています。これらのデバイスは、同時動作を目的とした、チャンネルあたり8個の内部バンクで構成されています。LPDDR4およびLPDDR4Xはどちらも、プログラマブルおよび「オンザフライ」バースト長でのプログラマブル読取と書込レイテンシを備えています。

結果: 13
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル タイプ メモリ サイズ データ バス幅 最高クロック周波数 パッケージ/ケース 編成 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 7在庫
272取寄中
¥5,032.8
¥4,660.8
¥4,512.9
¥4,403.3
¥4,243.9
最低: 1
複数: 1
SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 1,697在庫
1,904取寄中
¥16,334.3
¥15,076.9
¥14,585.2
¥14,216.5
¥13,699.9
最低: 1
複数: 1
SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM The factory is currently not accepting orders for this product.
322在庫
¥8,771.7
¥8,099
¥7,836.6
¥7,638.9
¥7,361.6
最低: 1
複数: 1
SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
1,088取寄中
¥13,420.9
¥12,389.4
¥11,985.8
¥11,685.1
¥11,259.9
最低: 1
複数: 1
SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
496取寄中
¥6,451.3
最低: 1
複数: 1
SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 2.133 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
3,575取寄中
¥13,228.2
¥12,208.4
¥11,811.4
¥11,512.4
¥11,092.2
最低: 1
複数: 1
SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz BGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
680取寄中
¥16,171.5
¥14,925.7
¥14,439.1
¥14,073.7
¥13,560.4
最低: 1
複数: 1
SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
1,088取寄中
¥17,340.8
¥16,002.1
¥15,473.9
¥15,076.9
最低: 1
複数: 1
SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
131取寄中
¥8,353.2
¥7,713.7
¥7,462.9
¥7,275.2
¥7,009.4
最低: 1
複数: 1
SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 1.866 GHz FBGA-200 256 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
136予想2026/12/14
¥15,925.7
¥14,699.9
¥14,219.8
¥13,861
¥13,354.4
最低: 1
複数: 1
SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz FBGA-200 256 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM SUGGESTED ALTERNATE IS43LQ32128A-062TBLI 非在庫リードタイム 52 週間
¥6,562.6
最低: 136
複数: 136
SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
¥6,605.8
最低: 136
複数: 136
SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 非在庫リードタイム 40 週間
SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray