車載用U-MOSX-H MOSFET

Toshiba 車載用U-MOSX-H MOSFETは、AEC-Q101の認定を取得しており、ドレイン-ソース間のON抵抗が低く抑えられています。U-MOSX-Hは、IDSS = 10µA(最大)(VDS = 100V)という低漏れ電流が特徴です。デバイスは、車載、スイッチング電圧、レギュレータ、DC-DCコンバータ、モータドライバといったアプリケーションに最適です。

結果: 4
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 パッケージ化
Toshiba MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,202在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 1.92 mOhms 20 V 3.5 V 184 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=132W F=1MHZ 3,500在庫
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 5.7 mOhms 20 V 3.5 V 63 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADVANCE(E) PD=250W F=1MHZ 1,752在庫
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 238 A 1.9 mOhms 20 V 3.5 V 108 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 80V 2.55mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(WF)
5,000予想2026/11/16
最低: 1
複数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.55 mOhms 20 V 3.5 V 95 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel