UF4C/SC 1,200V Gen 4 SiC FET

Onsemi  UF4C/SC1,200V Gen 4 SiC FETは、業界最高の性能指標を実現する高性能シリーズです。UF4C/SC 1200V Gen 4 SIC FETは、EVの車載充電器、産業用バッテリ充電器、産業用電源、再生可能エネルギー、エネルギー貯蔵、溶接機、UPS、誘導加熱アプリケーションなどの主流の800Vバスアーキテクチャに最適です。23mΩ から70mΩ オプションで利用可能な Gen4シリーズは、独自のカスコード構成に基づいており、高性能SiC JFETがカスコード最適化Si-MOSFETと一緒にパッケージ化されて、標準的なゲートドライブSiCデバイスを生成します。この機能により、ゲートドライブ電圧を変更することなく柔軟な設計が可能になり、Si IGBT、Si FET、SIC FET、またはSiスーパージョンクションデバイスの交換が簡単に行えます。

結果: 11
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4 384在庫
¥2,400.1
¥1,544.7
¥1,298.9
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO247-4 673在庫
¥4,376.7
¥3,665.8
最低: 1
複数: 1
最大: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4 747在庫
¥2,734
¥1,604.5
¥1,551.4
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO26 580在庫
カットテープ
¥2,649.3
¥1,574.6
¥1,556.4
リール
¥1,489.9
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO26 513在庫
カットテープ
¥2,298.8
¥1,318.8
リール
¥1,239.1
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO263-7 717在庫
カットテープ
¥3,630.9
¥2,361.9
¥2,318.8
リール
¥2,318.8
最低: 1
複数: 1
最大: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO24 282在庫
¥2,687.5
¥1,524.8
¥1,518.2
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO24 273在庫
¥2,337
¥1,305.5
¥1,265.7
最低: 1
複数: 1
最大: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi SiC MOSFET UF4C120053B7S 200在庫
¥2,890.1
¥2,200.8
¥1,833.7
最低: 1
複数: 1
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET UF4C120070B7S 170在庫
¥2,400.1
¥1,828.8
¥1,523.1
最低: 1
複数: 1
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO247-4 11,400工場在庫あり
¥2,345.3
最低: 600
複数: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 53 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET