NV60x GaNFast™ Power FETs

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs are high‑performance enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems. These FETs feature ultra‑low gate charge, zero reverse‑recovery behavior, and minimized output charge, enabling high‑frequency operation up to 10MHz across the series. The Navitas Semiconductor NV60x supports 700V continuous and 800V transient drain‑to‑source voltages, providing robust headroom for demanding AC‑DC, DC‑DC, and DC‑AC topologies.

結果: 8
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
データシート
780在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
データシート
788在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
データシート
739在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
データシート
741在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
: 5,000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FET GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C