SRP2012TMAシールドパワーインダクタ

Bourns SRP2012TMAシールドパワーインダクタは、低DCR、コンパクトなサイズ、シールド構造設計が特徴です。これらのインダクタはAEC-Q200に準拠しており、高飽和電流を目的とした合金パウダーコアを備えています。SRP2012TMAインダクタは、-55°C～+150°Cの広い温度範囲で動作し、±20%の許容差定格が備わっています。Bourns SRP2012TMAシールドパワーインダクタは、テレコムエレクトロニクス、ウェアラブルデバイス、スマートフォン、LDCディスプレイアプリケーションでの使用に最適です。