MXP120 MaxSiC™ 1200V NチャネルMOSFET

Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1200V NチャネルMOSFETは、1200Vのドレイン・ソース間電圧、高速スイッチング速度、および3μsの短絡耐量時間を特徴としています。これらの MOSFET は、最大電力損失が 56 W ~ 288 W(Tc=25 °C)、連続ドレイン電流が 10.5 A ~ 53 A(Tc=25 °C)という特性も備えています。MXP120 MaxSiC™ 1200V NチャネルMOSFETはハロゲンフリーで、TO-247AD 3L、TO-247AD 4L、およびTO-263 7Lパッケージで提供されます。本MOSFETは、充電器、補助モータドライブ、DC/DCコンバータなどに使用されます。

結果: 17
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET 800在庫
¥2,031.4
¥1,470
¥1,224.2
¥1,124.5
最低: 1
複数: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600予想2026/11/25
¥2,142.7
¥1,566.3
¥1,360.4
¥1,179.3
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600予想2026/11/25
¥2,122.8
¥1,551.4
¥1,348.7
¥1,169.3
¥1,147.8
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247AD-3 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
799予想2027/04/14
¥1,694.2
¥1,197.6
¥996.6
¥888.6
最低: 1
複数: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
599予想2027/04/14
¥1,837.1
¥1,176
¥1,021.5
¥918.5
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
799予想2027/04/14
¥1,543.1
¥1,054.7
¥868.7
¥774
最低: 1
複数: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
583予想2027/04/14
¥1,684.3
¥1,053.1
¥908.6
¥810.6
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600予想2027/04/14
¥1,783.9
¥991.6
¥915.2
¥780.7
¥779
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800予想2027/04/14
カットテープ
¥1,405.2
¥762.4
¥700.9
¥568.1
リール
¥559.8
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600予想2027/04/14
¥2,634.3
¥1,521.5
¥1,415.2
¥1,277.3
¥1,275.6
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800予想2026/12/02
¥2,069.6
¥1,541.4
¥1,284
¥1,144.4
最低: 1
複数: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600予想2026/12/07
¥2,210.8
¥1,624.5
¥1,416.8
¥1,225.8
¥1,204.2
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800予想2026/12/09
カットテープ
¥1,905.2
¥1,064.7
¥1,024.8
¥837.1
リール
¥835.5
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600予想2026/12/07
¥1,895.2
¥1,230.8
¥1,069.7
¥963.4
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800予想2026/12/02
カットテープ
¥1,745.7
¥968.4
¥915.2
¥747.5
リール
¥747.5
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600予想2026/12/09
¥1,724.1
¥1,096.3
¥951.8
¥840.5
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600予想2027/04/14
¥2,737.3
¥1,586.3
¥1,476.6
¥1,342.1
¥1,340.4
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement