TRSx65H SiCショットキーバリアダイオード

Toshiba TRSx65H炭化ケイ素（SIC）ショットキーバリアダイオード（SBD）は、ショットキー金属を活用している第3世代技術に基づいた650Vデバイスです。これらの部品は、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー（JBS）構造を最適化し、ショットキーインターフェイスでの電界を低減してリーク電流を低減し、効率性を向上させます。TRSx65Hは、17%低い順方向電圧（標準1.2V）を達成しており、第2世代デバイスより順方向電圧と合計容量電荷（標準17nC）の間のトレードオフを改善します。順方向電圧と逆電流の比率が強化されており、標準1.1 µ A絶縁抵抗を達成しています。その他の機能には、最大12Aの順方向DC電流および最大640Aの方形波非繰り返しサージ電流が含まれています。