NVXK2VR40WXT2

Name: onsemi NVXK2VR40WXT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2VR40WXT2
Price: 14819 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

863-NVXK2VR40WXT2

メーカ番号：

NVXK2VR40WXT2

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFETモジュール APM32 SIC POWER MODULE

データシート:

NVXK2VR40WXT2 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFETモジュール
RoHS:
技術:	SiC
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	APM-32
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	6 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	55 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	59 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.3 V
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	319 W
シリーズ:	NVXK2VR40WXT2
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
構成:	3-Phase Bridge
下降時間:	9 ns
高さ:	5.8 mm
長さ:	44.2 mm
製品タイプ:	MOSFET Modules
上昇時間:	20 ns
工場パックの数量:	10
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
タイプ:	Power Module
標準電源切断遅延時間:	30 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	17 ns
幅:	29 mm

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データシート

NVXK2VR40WXT2 データシート

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8542391010
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NVXK2VR40WXT2 Silicon Carbide (SiC) モジュール

onsemi NVXK2VR40WXT2SiC（シリコンカーバイド）モジュールは、1,200V、40m Ω 、55A3相ブリッジ・パワー・モジュールで、デュアル・インライン・パッケージ（DIP）に収納されています。このSiCモジュールは、全モジュール抵抗を低く抑えるようにコンパクトに設計されています。NVXK2VR40WXT2パワーモジュールは、AEC-Q101およびAQG324などの車載規格に適合しています。このパワーモジュールは、無鉛、RoHS、UL94V-0に準拠しています。NVXK2VR40WXT2 SiCモジュールの温度センシングと最低の熱抵抗によって、xEVアプリケーションでのDC/DCおよびオンボード充電器に最適です。

NVXK2TR40WXT 炭化ケイ素（SiC）モジュール

オンセミ (onsemi) のNVXK2TR40WXT炭化ケイ素（SiC）モジュールは、1200V、40mΩ、27Aのデュアルハーフブリッジ構成のEliteSiCパワーモジュールで、APM32デュアルインラインパッケージ（DIP）を採用しています。本SiCモジュールは、モジュール全体の抵抗を低減するためにコンパクトに設計されています。NVXK2TR40WXTパワーモジュールは、 AEC-Q101およびAQG324に準拠した車載対応製品です。本パワーモジュールは鉛フリーであり、RoHSおよびUL94V-0に準拠しています。NVXK2TR40WXT EliteSiC MOSFETパワーモジュールは、xEVアプリケーションにおけるDC-DCコンバータおよびオンボードチャージャに適しています。