UJ3C SiC FET

QorvoUJ3C SiC FETは、シリコンカーバイド (SiC) FETで、独自のカスケード構成に基づいており、ソフトスイッチング設計用に最適化されています。UJ3C SiC FETは、既存のシリコンベースのデバイスのアップグレードや新しいSiCベースの設計の開始に最適です。これらのデバイスでは、通常オフ動作、高性能のボディダイオードと、 SiC JFETの効率と速度、高温度定格を備えた簡単なMOSFETのゲートドライブの理想的な組み合わせを作るために、SiCJFETとカスタム設計の Si-MOSFETが統合されています。結果として、既存のシステムは、より低い導通損失とスイッチング損失、強化された熱特性、統合ゲートESD保護によって性能の向上を期待できます。 

結果: 11
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3 423在庫
1,000予想2026/12/28
¥4,416.6
¥3,536.3
¥3,057.9
¥2,740.7
最低: 1
複数: 1
最大: 1,000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3 1,352在庫
2,000予想2027/01/22
¥1,835.4
¥1,280.6
¥1,068
¥951.8
¥900.3
最低: 1
複数: 1
最大: 1,000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247 713在庫
¥2,008.1
¥1,104.6
最低: 1
複数: 1
最大: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG3TO24 1,310在庫
¥3,493.1
¥2,127.7
最低: 1
複数: 1
最大: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247 513在庫
¥4,282.1
¥2,757.3
最低: 1
複数: 1
最大: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24 357在庫
¥6,089.2
¥4,527.9
¥4,295.3
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24 617在庫
¥3,518
¥2,146
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2 20在庫
600予想2026/11/16
¥2,310.5
¥1,760.7
¥1,466.7
¥1,307.2
最低: 1
複数: 1
最大: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG3TO24 590在庫
¥3,567.8
¥2,184.2
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3 160在庫
カットテープ
¥1,905.2
¥1,378.6
¥1,147.8
¥1,023.2
リール
¥956.7
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3 79在庫
カットテープ
¥4,449.8
¥3,468.2
リール
¥2,858.6
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 66 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET