D2PAK-7Lパッケージ750V UJ4C/SC SIC FET

Onsemiの750V UJ4C/SC SIC FETは、D2PAK-7Lパッケージで提供され、オン抵抗は9mΩ〜60mΩの複数のオプションがあります。通常オンのSIC JFETとSi MOSFETを同一パッケージに組み合わせ、通常オフのSIC FETを実現する独自のカスコードSIC FET技術を活用することで、これらのデバイスは優れたRDS ×面積のフィギュアオブメリットを提供し、小型のダイで低い導通損失を実現します。D2PAK-7Lパッケージは、コンパクトな内部接続ループからのインダクタンスの削減を実現しており、同梱のKelvinソース接続と共にスイッチング損失を低く抑え、より高い周波数動作とシステム電力密度の向上が可能になります。5つの並列ガルウィングソース接続により、低インダクタンスと大電流の使用が可能になります。銀焼結ダイアタッチは低い熱抵抗を提供し、標準的なPCBおよびIMS基板で液冷を使用することで、最大の熱放出を実現します。

結果: 7
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7 278在庫
カットテープ
¥4,062.8
¥3,034.6
¥2,624.4
¥2,352
リール
¥2,352
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263-7 287在庫
カットテープ
¥4,913.2
¥3,891.7
¥3,629.3
¥3,282.1
リール
¥3,282.1
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263 1,266在庫
カットテープ
¥1,307.2
¥705.9
¥699.3
¥674.4
リール
¥674.4
¥589.7
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263 486在庫
カットテープ
¥2,526.4
¥1,480
¥1,400.2
リール
¥1,400.2
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263 648在庫
カットテープ
¥2,330.4
¥1,333.8
¥1,262.4
リール
¥1,262.4
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-7 331在庫
カットテープ
¥5,564.4
¥4,052.8
¥3,836.9
リール
¥3,836.9
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO263 13在庫
カットテープ
¥3,346.9
¥2,139.4
¥2,018.1
¥1,910.2
リール
¥1,910.2
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET