SiSS52DNおよびSiSS54DN NチャンネルTrenchFET® Gen V MOSFET

Vishay/Siliconix SiSS52DNおよびSiSS54DN NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFETは、非常に低いR_{DS（on）でより高い電力密度を実現できます。} このパワーMOSFETは、30V V_DS および超低RDS x Q_g メリット指数（FOM）に対応します。SiSS52DN NチャンネルMOSFETは、一般的に162A I_D および19.9nC Q_{gが特徴です。}SiSS54DN NチャンネルMOSFETは、概して185.6A I_D および21nC Q_g が特徴です。このMOSFETは、R_g および非クランプ誘導スイッチング（UIS）試験を完了しており、熱的に強化されたコンパクトなPowerPAK^® 1212-8Sパッケージに格納、単一構成になっています。代表的なアプリケーションには、DC/DCコンバータ、ポイントオブロード（POL）、同期整流、パワーと負荷スイッチ、バッテリ管理があります。