結果: 2
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
チャネルモード
トレードネーム
技術
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
データシート
16,273在庫
6,000予想2026/11/04
カットテープ
¥1,279
¥696
¥637.8
¥606.3
¥539.8
リール
¥466.7
最低： 1
複数： 1
: 3,000
SMD/SMT QFN-5 N-Channel 1 Channel 100 V 101 A 1.2 mOhms - 4 V, 6 V 2.5 V 17 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET GaN
EPC EPC2367A
EPC GaN FET 100 V enhancement-mode GaN power transistor, 101 A, 1.2 mOhm typ RDS(on), optimized for high-density DC-DC converters and motor drives.
データシート
在庫なし
¥1,174.3
¥785.7
¥631.2
¥561.4
¥450.1
最低： 1
複数： 1