FFSP0865B

Name: onsemi FFSP0865B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP0865B
Price: 705 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-FFSP0865B

メーカ番号：

FFSP0865B

メーカ：

onsemi

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード SIC DIODE TO220 650V

データシート:

FFSP0865B データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	8 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	650 V
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.39 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	56 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	40 uA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	650 V
シリーズ:	FFSP0865B
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
Pd - 電力損失:	73 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
トレードネーム:	EliteSiC

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データシート

FFSP0865B データシート (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

650V SiCショットキーダイオード

onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードは、シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。SiCショットキーダイオードには逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチングと優れた熱性能が備わっています。システムのメリットとして、高い効率性、高速動作周波数、高電力密度、低EMI、システムサイズとコストの削減があります。

D2 EliteSiCダイオード

onsemi D2 EliteSiC ダイオードは、650Vの定格電圧を必要とする用途向けに設計された高性能ダイオードです。onsemi D2 には、DPAK-3、D2PAK-2、D2PAK-3、PQFN-4、TO-220-2、TO-220-3、TO-247-2、TO-247-3など、さまざまなパッケージがあります。これらのダイオードには、低容量電荷 (QC) が備わっており、低順方向電圧の高速スイッチング用に最適化されています。これらの機能によってこのダイオードは力率補正（PFC）および出力整流アプリケーションに最適です。

FFSP0865B 650V 8A SiCショットキーダイオード

onsemi FFSP0865B 650V、8Aシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードには、優れたスイッチング性能およびシリコンに対するさらなる高信頼性を実現できるテクノロジーが採用されています。FFSP0865B SiCダイオードは、温度の影響を受けないスイッチング特性が特徴で、逆回復電流がなく、優れた熱性能が備わっています。その他のメリットとして、最高クラスの効率性、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減があります。FFSP0865B 650V、8A SiCショットキーダイオードは、TO-220-2LDパッケージでご用意があります。