QPD1426/QPD1426L GaN RFパワートランジスタ

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RFパワートランジスタは、1.2GHz〜1.4GHzで動作する220WディスクリートGaN-on-SiC HEMTで、53.5dBm(代表値)の飽和出力電力、17dBの大信号利得、および70%のドレイン効率を提供します。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Id - 連続ドレイン電流 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 最高動作周波数 最小動作周波数 技術
Qorvo GaN FET 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10予想2026/11/26
¥85,946.8
¥74,379.6
¥71,486.1
最低: 1
複数: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC
Qorvo GaN FET 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor
10予想2026/11/26
¥85,946.8
¥74,379.6
¥71,486.1
最低: 1
複数: 1
SMD/SMT NI-400-2 N-Channel 1 Channel 7 A - 40 C + 85 C 221 W 2 GHz 0 Hz GaN-on-SiC