CoolSiC™ JFET Transistors

Infineon Technologies CoolSiC™ JFET Transistors are designed to meet the growing demand for high-performance, solid-state power distribution and protection in rapidly evolving environments. These transistors deliver 750V and 1200V voltages, enabling system designers to push efficiency and reliability to the next level. The CoolSiC™ JFET transistors feature an extremely low on-resistance of 1.6mΩ which helps minimize conduction losses. These transistors offer .XT interconnection technology, which ensures improved thermal performance and high robustness under pulsed and cyclic loads. The CoolSiC™ JFET-based solid-state designs enable higher switching speeds and allow rapid fault isolation, reduce system damage risk, minimize downtime, and contribute to longer system lifetime. Typical applications include AI data centers, solid-state protection, industrial power systems, and motor soft starters, and surge protection.

結果: 4
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 構成 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度 パッケージ化
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
150取寄中
最低: 1
複数: 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 598 A 6.5 mOhms 2.38 kW - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
150取寄中
最低: 1
複数: 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 522 A 7.3 mOhms 2.142 kW - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
150取寄中
最低: 1
複数: 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 289 A 14.3 mOhms 1.127 kW - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies JFET CoolSiC JFET 1200 V J1 in QDPAK
150取寄中
最低: 1
複数: 1
: 750

SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V, + 2.2 V 238 A 17.5 mOhms 931 W - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape