π-MOS IXプラナ・パワーMOSFET

Toshiba π-MOS IXプラナ・パワーMOSFETは効率性が高くノイズが低くなっており、コンパクトなTO-220SISパッケージに収められています。π-MOS IXシリーズMOSFETは、二重拡散プロセス設計調整のために最適な性能を実現しています。最適化されたチップ設計が用いられているπ-MOS IXシリーズは、以前のπ-MOS VIIシリーズより低い5dBピークEMIノイズを実現しており、同レベルの効率性も維持しています。これらのNチャンネル・パワーMOSFETには、より大きな設計柔軟性が備わっており、設計に要する作業量が低減されています。さらに、π-MOS IXシリーズには、同じ定格アバランシェ電流および定格ドレイン電流(DC)があり、既存のMOSFETと交換するだけで済みます。

結果: 8
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS 347在庫
¥265.8
¥123.9
¥110
¥75.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 1.7 Ohms 30 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS 340在庫
¥239.2
¥110.8
¥98
¥65.6
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.5 A 2.2 Ohms 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A 223在庫
¥235.9
¥110.5
¥110.3
¥83.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms 30 V 2 V 21 nC + 150 C 35 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS 233在庫
¥182.7
¥84.4
¥84.2
¥58.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.1 Ohms 30 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A 211在庫
¥284
¥135
¥134.9
¥107.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 650 mOhms 30 V 2 V 34 nC + 150 C 45 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A 683在庫
¥302.3
¥144
¥128.4
¥105.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 750 mOhms 30 V 2 V 30 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS
190予想2026/12/25
¥333.9
¥160.3
¥142.5
¥113.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.5 A 1 Ohms 30 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MOSIX Tube
Toshiba MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A 非在庫リードタイム 16 週間
¥264.1
¥163.9
¥108
¥84.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 1.9 Ohms 30 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MOSIX Tube