DDB6U134N16RR IGBTシリコンモジュール

Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBTシリコンモジュールには、100Aの順方向電圧で1.35Vおよび500Wの電力損失が備わっています。このデバイスは、-40°C～+150°Cの最大温度範囲で動作します。Infineon DDB6U134N16RR IGBTシリコンモジュールは、45mm x 107.5mm x 20.5mm（W x L x H）のパッケージでご用意があります。

結果: 3
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
If - 順電流（Forward Current）
構成
Vf - 順電圧（Forward Voltage）
最低動作温度
最高動作温度
技術
パッケージ化
Infineon Technologies ダイオード・モジュール LOW POWER ECONO
データシート
26在庫
最低： 1
複数： 1
Screw Mount 100 A Single 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies ダイオード・モジュール LOW POWER ECONO
データシート
14在庫
最低： 1
複数： 1

Si Tray
Infineon Technologies ダイオード・モジュール LOW POWER ECONO
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 15
複数： 15

Screw Mount 35 A 1.35 V - 40 C + 150 C Si Tray