モデルBID絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ

BournsモデルBID絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（IGBT）は、MOSFET下ゲートとバイポーラトランジスタの技術を組み合わせており、高電圧/大電流アプリケーション向けに設計されています。モデル入札IGBTには、高度トレンチゲートフィールドストップ技術が採用されており、動的特性のより優れた制御を実現しているため、コレクタ－エミッタ飽和電圧が低く抑えられてスイッチング損失が低減されます。IGBTは、-55°C～ +150°Cの動作温度範囲が特徴で、TO-252、TO-247、TO-247Nパッケージでご用意があります。これらの熱効率に優れたコンポーネントは、さらなる低熱抵抗を実現しており、スイッチモード電源（SMPS）、無停電電源装置（UPS）、力率補正（PFC）アプリケーションを対象としたIGBTソリューションに適しています。