650V CoolMOS™ CFD7 SJパワーMOSFET

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7 SJパワーMOSFETは、CFD7ファミリの電圧クラスの品揃えを拡張する超高速ダイオードです。パワーMOSFETには、別の50V破壊電圧、集積高速ボディダイオード、改善されたスイッチング性能、優れた熱特性があります。これらのCFD7パワーMOSFETは、LLCおよび位相シフト完全ブリッジ(ZVS)といった共振スイッチングトポロジで最高クラスの効率性を発揮します。MOSFETには、卓越したハード計算の堅牢性と高速スイッチング技術のすべての利点が融合されています。これらのパワーMOSFETは、信頼性の高い規格に適合し、高電力密度ソリューションをさらにサポートできるCoolMOS™ CFD7技術をサポートしています。

結果: 14
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 136在庫
¥1,984.9
¥1,348.7
¥1,313.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 300在庫
¥1,642.7
¥1,013.2
¥878.7
¥787.3
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 268在庫
¥1,499.9
¥898.6
¥757.4
¥691
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device 675在庫
カットテープ
¥3,278.8
¥2,072.9
¥1,961.6
リール
¥1,961.6
最低: 1
複数: 1
: 750
Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device 675在庫
カットテープ
¥1,795.5
¥998.3
¥950.1
¥896.9
リール
¥896.9
最低: 1
複数: 1
: 750
Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,118在庫
カットテープ
¥840.5
¥488.3
¥410.3
¥343.8
リール
¥317.3
¥300.6
最低: 1
複数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 15 A 155 mOhms 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 879在庫
カットテープ
¥1,119.5
¥594.6
¥544.8
¥508.3
リール
¥480
最低: 1
複数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,155在庫
カットテープ
¥1,722.5
¥956.7
¥901.9
リール
¥852.1
最低: 1
複数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) N-Channel 1 Channel 700 V 50 A 41 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 181在庫
¥2,501.5
¥1,408.5
¥1,383.6
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 71在庫
¥1,347.1
¥727.5
¥667.7
¥612.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 198在庫
480予想2026/10/22
¥1,815.5
¥988.3
¥915.2
¥910.2
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 40在庫
¥3,423.3
¥2,474.9
¥2,214.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 700 V 106 A 18 mOhms 20 V 4.5 V 234 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS 非在庫リードタイム 52 週間
¥2,473.2
¥1,416.8
¥1,317.2
¥1,300.6
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 19 週間
¥1,274
¥676
¥621.2
¥529.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 90 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Tube