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RH7G04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBJFRATCB
Price: 367 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

755-RH7G04CBJFRATCB

メーカ番号：

RH7G04CBJFRATCB

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	DFN-8
トランジスタ極性:	P-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	40 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	17.7 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 5 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	33 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	62 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	33 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	13 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	16 ns
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
標準電源切断遅延時間:	115 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	11 ns

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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 日本
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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125°C I2CバスEEPROM (2線式車載用）

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