1700Vディスクリート炭化ケイ素(SiC)MOSFET

Wolfspeed 1700Vディスクリート炭化ケイ素(SiC)MOSFETは、高電圧電力変換システムにおいて卓越した効率、電力密度、信頼性を提供するように設計されています。高度なSiC技術を活用することで、従来のシリコンベースデバイスと比較し、高速スイッチング、高動作周波数、低電力損失を実現します。その結果、冷却要件が削減され、システム全体のコストが低減された、より小型で軽量、かつ効率的なシステム設計を実現しています。12V~15Vのゲートドライブ動作、低静電容量、高耐圧電圧能力を備えており、要求の厳しい産業とエネルギー向けのアプリケーションで堅牢な性能を発揮します。

結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900m, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial 2,444在庫
カットテープ
¥985
¥556.4
¥481.7
¥400.3
リール
¥365.4
¥304
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 8 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900m, 1700V, TO-247-3, Industrial 1,661在庫
900予想2026/12/07
¥1,011.5
¥609.6
¥480
¥403.6
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900m, 1700V, TO-247-3PF, Industrial 301在庫
¥890.3
¥451.8
¥410.3
¥347.1
¥330.5
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-3PF-3 1 Channel 1700 V 4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 10 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 30m, 1700V, TO-247-3, Industrial
870取寄中
¥6,371.6
¥3,959.8
¥3,921.6
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 222 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 30m, 1700V, TO-247-4, Industrial
450取寄中
¥6,753.6
¥4,885
¥4,194
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 219 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 30m, 1700V, TO-247-4 Plus, Industrial
450取寄中
¥6,371.6
¥3,959.8
¥3,921.6
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1700 V 74 A 40.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 219 nC - 40 C + 175 C 427 W Enhancement C3M