IXT 200V X4ウルトラジャンクションパワーMOSFET

IXYS IXT 200V X4ウルトラジャンクションパワーMOSFETは、Nチャンネルエンハンストモードデバイスで、10.6mΩまたは13mΩ,21mΩ RDS(on) 、および200V最高ドレイン-ソース間電圧が備わっています。IXT MOSFETは、高出力密度でアバランシェ定格のTO-220、TO-247、TO-263、またはTO-268標準パッケージスタイルで利用できます。IXYS IXT 200V X4ウルトラジャンクション・パワーMOSFETは、スイッチモードおよび共振モード電源での使用に最適です。

結果: 9
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
IXYS MOSFET TO263 200V 86A N-CH X4CLASS 2,004在庫
¥2,639.3
¥1,524.8
¥1,484.9
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET 329在庫
¥2,584.5
¥1,460
¥1,423.5
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS 719在庫
¥2,905.1
¥1,958.3
¥1,644.4
¥1,607.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET 268在庫
¥2,225.7
¥1,264
¥1,172.7
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET 499在庫
¥2,350.3
¥1,342.1
¥1,259
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 220A N-CH X4CLASS 1,196在庫
¥4,062.8
¥2,393.5
¥2,365.3
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 5.5 mOhms 20 V 4.5 V 157 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
620予想2027/06/07
¥2,948.3
¥1,953.3
¥1,607.8
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 94A N-CH X4CLASS 非在庫リードタイム 30 週間
¥2,868.5
¥2,184.2
¥1,818.8
¥1,536.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 86A N-CH X4CLASS 非在庫リードタイム 36 週間
¥2,782.2
¥1,616.2
¥1,503.2
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube