結果: 11
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 技術
Nexperia GaN FET GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,756在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL 238在庫
最低: 1
複数: 1

Nexperia GaN FET GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT 250在庫
最低: 1
複数: 1

Nexperia GaN FET GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4 249在庫
最低: 1
複数: 1

Nexperia GaN FET GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL 160在庫
90予想2026/10/19
最低: 1
複数: 1

Nexperia GaN FET GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT 220在庫
30予想2026/10/19
最低: 1
複数: 1

Nexperia GaN FET GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3 240在庫
10予想2026/10/19
最低: 1
複数: 1

Nexperia GaN FET GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,882在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2,302在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 566在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FET GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 52在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN