SiC MOSFET – Mouser 日本

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650V & 1200V第3世代炭化ケイ素MOSFET

東芝650Vおよび1200V第3世代炭化ケイ素MOSFETは、400Vや800VなどのAC 入力 AC-DC電源などのハイパワー産業用アプリケーション、太陽光発電（PV）インバータ、無停電電源装置（UPS）用の双方向 DC-DCコンバータ用に設計されています。 SiCテクノロジーにより消費電力の削減と電力密度の改善に多大な貢献をします。またこのテクノロジーにより、高電圧、高速スイッチング、低いオン抵抗が可能になります。信頼性が高い設計で、入力容量が低く、共通のゲート-入力電荷があり、ドレイン-ソース間オン抵抗は15mΩと低くなっています。

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結果: 24

適用されたフィルタ:

取り付け様式

パッケージ/ケース

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs - ゲート-ソース間電圧

Qg - ゲート電荷

最低動作温度

Pd - 電力損失

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画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	取り付け様式	パッケージ/ケース	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	チャネルモード
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm TW015Z65C,S1F Toshiba 1: ¥2,860.2 132在庫	メーカ部品番号 TW015Z65C,S1F Mouser 部品番号 757-TW015Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	132在庫	¥2,860.2 ¥2,386.9 ¥1,662.7 ¥1,646.1	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	100 A	15 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	128 nC		+ 175 C	342 W	Enhancement
SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW031V65C,LQ Toshiba 1: ¥1,931.7 2,500在庫新製品	メーカ部品番号 TW031V65C,LQ Mouser 部品番号 757-TW031V65CLQ 新製品	Toshiba	SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	2,500在庫	カットテープ ¥1,931.7 ¥1,431.8 リール ¥1,431.8	最低： 1 複数： 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	53 A	45 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	65 nC		+ 175 C	156 W	Enhancement
SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW054V65C,LQ Toshiba 1: ¥1,509.8 2,480在庫新製品	メーカ部品番号 TW054V65C,LQ Mouser 部品番号 757-TW054V65CLQ 新製品	Toshiba	SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	2,480在庫	カットテープ ¥1,509.8 ¥1,036.5 リール ¥1,036.5	最低： 1 複数： 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	36 A	81 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	41 nC		+ 175 C	132 W	Enhancement
SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW092V65C,LQ Toshiba 1: ¥1,254.1 2,493在庫新製品	メーカ部品番号 TW092V65C,LQ Mouser 部品番号 757-TW092V65CLQ 新製品	Toshiba	SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	2,493在庫	カットテープ ¥1,254.1 ¥847.1 ¥808.9 リール ¥808.9	最低： 1 複数： 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	27 A	136 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	28 nC		+ 175 C	111 W	Enhancement
SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. TW123V65C,LQ Toshiba 1: ¥994.9 2,500在庫新製品	メーカ部品番号 TW123V65C,LQ Mouser 部品番号 757-TW123V65CLQ 新製品	Toshiba	SiC MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen. Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	2,500在庫	カットテープ ¥994.9 ¥594.6 リール ¥594.6	最低： 1 複数： 1 : 2,500	SMD/SMT	DFN-5	1 Channel	650 V	18 A	183 mOhms	- 10 V, 25 V	5 V	21 nC		+ 175 C	76 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm TW030Z120C,S1F Toshiba 1: ¥2,008.1 27在庫	メーカ部品番号 TW030Z120C,S1F Mouser 部品番号 757-TW030Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	27在庫	¥2,008.1 ¥1,506.5	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	60 A	30 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	82 nC		+ 175 C	249 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm TW060Z120C,S1F Toshiba 1: ¥1,747.4 31在庫	メーカ部品番号 TW060Z120C,S1F Mouser 部品番号 757-TW060Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	31在庫	¥1,747.4 ¥1,320.5 ¥1,255.7	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	60 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	46 nC		+ 175 C	170 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm TW140Z120C,S1F Toshiba 1: ¥1,529.8 61在庫	メーカ部品番号 TW140Z120C,S1F Mouser 部品番号 757-TW140Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	61在庫	¥1,529.8 ¥1,046.4	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	20 A	140 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	24 nC		+ 175 C	107 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm TW045Z120C,S1F Toshiba 1: ¥1,878.6 14在庫 30予想2026/12/04	メーカ部品番号 TW045Z120C,S1F Mouser 部品番号 757-TW045Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	14在庫 30予想2026/12/04	¥1,878.6 ¥1,382	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	45 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	57 nC		+ 175 C	182 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm TW015N120C,S1F Toshiba 1: ¥5,376.7 28在庫	メーカ部品番号 TW015N120C,S1F Mouser 部品番号 757-TW015N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	28在庫	¥5,376.7 ¥3,900 ¥3,019.7 ¥2,964.9 見積り見積り	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	100 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	158 nC	- 55 C	+ 175 C	431 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm TW015N65C,S1F Toshiba 1: ¥2,860.2 41在庫	メーカ部品番号 TW015N65C,S1F Mouser 部品番号 757-TW015N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	41在庫	¥2,860.2 ¥2,386.9 ¥1,646.1	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	100 A	21 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	128 nC	- 55 C	+ 175 C	342 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm TW015Z120C,S1F Toshiba 1: ¥3,300.4 12在庫 60予想2026/10/16	メーカ部品番号 TW015Z120C,S1F Mouser 部品番号 757-TW015Z120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	12在庫 60予想2026/10/16	¥3,300.4 ¥2,828.7	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	15 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	158 nC		+ 175 C	431 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm TW027N65C,S1F Toshiba 1: ¥1,715.8 2在庫	メーカ部品番号 TW027N65C,S1F Mouser 部品番号 757-TW027N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	2在庫	¥1,715.8 ¥1,343.7 ¥1,176	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	58 A	37 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	156 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm TW030N120C,S1F Toshiba 1: ¥2,099.5 67在庫	メーカ部品番号 TW030N120C,S1F Mouser 部品番号 757-TW030N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	67在庫	¥2,099.5 ¥1,200.9 ¥1,112.9 ¥1,039.8	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV		40 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	249 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm TW045N120C,S1F Toshiba 1: ¥2,255.6 92在庫	メーカ部品番号 TW045N120C,S1F Mouser 部品番号 757-TW045N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	92在庫	¥2,255.6 ¥1,382	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	182 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm TW048Z65C,S1F Toshiba 1: ¥1,333.8 32在庫	メーカ部品番号 TW048Z65C,S1F Mouser 部品番号 757-TW048Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	32在庫	¥1,333.8 ¥878.7	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	40 A	48 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	41 nC		+ 175 C	132 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm TW060N120C,S1F Toshiba 1: ¥1,747.4 189在庫	メーカ部品番号 TW060N120C,S1F Mouser 部品番号 757-TW060N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	189在庫	¥1,747.4 ¥1,372 ¥1,255.7	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	170 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm TW083N65C,S1F Toshiba 1: ¥1,282.3 15在庫	メーカ部品番号 TW083N65C,S1F Mouser 部品番号 757-TW083N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	15在庫	¥1,282.3 ¥750.8 ¥606.3 ¥556.4 ¥528.2	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	145 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	76 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm TW083Z65C,S1F Toshiba 1: ¥1,212.5 25在庫	メーカ部品番号 TW083Z65C,S1F Mouser 部品番号 757-TW083Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	25在庫	¥1,212.5 ¥774	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	30 A	83 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	28 nC		+ 175 C	111 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm TW107N65C,S1F Toshiba 1: ¥1,245.8 19在庫	メーカ部品番号 TW107N65C,S1F Mouser 部品番号 757-TW107N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	19在庫	¥1,245.8 ¥649.5 ¥619.6	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	113 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	111 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm TW107Z65C,S1F Toshiba 1: ¥1,026.5 40在庫	メーカ部品番号 TW107Z65C,S1F Mouser 部品番号 757-TW107Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	40在庫	¥1,026.5 ¥697.6 ¥619.6	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	20 A	107 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	21 nC		+ 175 C	76 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm TW140N120C,S1F Toshiba 1: ¥1,519.8 210予想2027/01/15	メーカ部品番号 TW140N120C,S1F Mouser 部品番号 757-TW140N120CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	210予想2027/01/15	¥1,519.8 ¥813.9 ¥749.1	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	20 A	182 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm TW027Z65C,S1F Toshiba 1: ¥1,712.5 非在庫リードタイム 24 週間	メーカ部品番号 TW027Z65C,S1F Mouser 部品番号 757-TW027Z65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 24 週間	¥1,712.5 ¥1,210.9 ¥1,008.2 ¥898.6 ¥840.5	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	58 A	27 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	65 nC		+ 175 C	156 W	Enhancement
SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm TW048N65C,S1F Toshiba 1: ¥1,335.4 非在庫リードタイム 24 週間	メーカ部品番号 TW048N65C,S1F Mouser 部品番号 757-TW048N65CS1F	Toshiba	SiC MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm Toshiba 3 gen sic mosfets についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 24 週間	¥1,335.4 ¥940.1 ¥760.7 ¥676 ¥598	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	40 A	65 mOhms	- 10 V, + 25 V	5 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	132 W	Enhancement

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