結果: 7
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 パッケージ/ケース 取り付け様式 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - エミッタ飽和電圧 最大ゲート エミッタ電圧 25 Cでのコレクターの直流 Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化

onsemi IGBT 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 257在庫
¥1,378.6
¥803.9
¥802.3
¥692.6
最低: 1
複数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube
onsemi IGBT 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching 383在庫
¥1,008.2
¥573
¥476.7
¥456.8
最低: 1
複数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE 392在庫
¥900.3
¥508.3
¥418.6
¥392
最低: 1
複数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBT 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 89在庫
450予想2026/12/29
¥1,825.4
¥1,202.6
¥906.9
最低: 1
複数: 1
最大: 450
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube

onsemi IGBT 650V FS4 Trench IGBT 151在庫
¥903.6
¥509.9
¥420.2
¥393.7
最低: 1
複数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBT 650V/35A FAST IGBT FSII T 50在庫
90予想2027/02/05
¥1,099.6
¥629.5
最低: 1
複数: 1
最大: 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 450在庫
¥842.1
¥553.1
¥411.9
¥313.9
¥302.3
最低: 1
複数: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube