|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R140D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥647.8
-
4,511在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLR65R140D2XUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4,511在庫
|
|
|
¥647.8
|
|
|
¥425.2
|
|
|
¥297.3
|
|
|
¥244.2
|
|
|
¥234.2
|
|
|
¥197.7
|
|
最低: 1
複数: 1
:
5,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
13 A
|
170 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
2.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
46 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R200D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥476.7
-
4,825在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLR65R200D2XUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4,825在庫
|
|
|
¥476.7
|
|
|
¥308.9
|
|
|
¥212.6
|
|
|
¥171.1
|
|
|
¥133.5
|
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|
表示
|
|
|
¥159.8
|
|
|
¥156.8
|
|
|
¥130.4
|
|
最低: 1
複数: 1
:
5,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
9.2 A
|
240 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
1.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
33 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R270D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥415.3
-
4,720在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLR65R270D2XUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4,720在庫
|
|
|
¥415.3
|
|
|
¥267.4
|
|
|
¥182.7
|
|
|
¥145.5
|
|
|
¥113.1
|
|
|
表示
|
|
|
¥132.4
|
|
|
¥130.4
|
|
|
¥108.1
|
|
最低: 1
複数: 1
:
5,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
7.2 A
|
330 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
1.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
28 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R045D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,423.5
-
1,173在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R045D2ATMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1,173在庫
|
|
|
¥1,423.5
|
|
|
¥968.4
|
|
|
¥710.9
|
|
|
¥699.3
|
|
|
¥571.4
|
|
|
¥569.7
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
38 A
|
54 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R110D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥784
-
1,495在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R110D2ATMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1,495在庫
|
|
|
¥784
|
|
|
¥518.2
|
|
|
¥367.1
|
|
|
¥315.6
|
|
|
¥255.8
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
15 A
|
140 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
3.4 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,229.1
-
878在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGOT65R025D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
878在庫
|
|
|
¥2,229.1
|
|
|
¥1,649.4
|
|
|
¥1,375.3
|
|
|
¥1,192.6
|
|
|
¥999.9
|
|
最低: 1
複数: 1
:
800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
61 A
|
30 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
181 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R035D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,832.1
-
482在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGOT65R035D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
482在庫
|
|
|
¥1,832.1
|
|
|
¥1,264
|
|
|
¥973.3
|
|
|
¥795.6
|
|
|
¥794
|
|
最低: 1
複数: 1
:
800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
42 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
132 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R045D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,466.7
-
468在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGOT65R045D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
468在庫
|
|
|
¥1,466.7
|
|
|
¥990
|
|
|
¥735.8
|
|
|
¥715.9
|
|
|
¥632.8
|
|
|
¥593
|
|
最低: 1
複数: 1
:
800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
54 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
104 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,224.2
-
613在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGOT65R055D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
613在庫
|
|
|
¥1,224.2
|
|
|
¥827.2
|
|
|
¥601.3
|
|
|
¥483.4
|
|
|
¥466.7
|
|
最低: 1
複数: 1
:
800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
66 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
6.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
83 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R055D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,214.2
-
5在庫
-
3,600予想2026/12/16
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R055D2ATMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
5在庫
3,600予想2026/12/16
|
|
|
¥1,214.2
|
|
|
¥800.6
|
|
|
¥607.9
|
|
|
¥561.4
|
|
|
¥480
|
|
|
¥480
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
66 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
6.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
104 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,119.4
-
9,090取寄中
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R025D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
9,090取寄中
取寄中:
1,890 予想2026/09/24
7,200 予想2026/11/19
|
|
|
¥2,119.4
|
|
|
¥1,473.3
|
|
|
¥1,179.3
|
|
|
¥963.4
|
|
|
¥961.7
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
67 A
|
30 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
219 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R035D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,777.3
-
3,537取寄中
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R035D2ATMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
3,537取寄中
取寄中:
1,800 予想2026/09/03
1,737 予想2026/09/07
|
|
|
¥1,777.3
|
|
|
¥1,224.2
|
|
|
¥936.8
|
|
|
¥765.7
|
|
|
¥764.1
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
42 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
Enhancement
|
|