CoolGaN™ Gen 2 650V パワートランジスタ

インフィニオン (Infineon)  の CoolGaN™ 第2世代 650V パワートランジスタは、最大 650V の電圧範囲での電力変換に対応する、高効率 GaN(窒化ガリウム)トランジスタ技術を採用しています。インフィニオン (Infineon) の GaN 技術は、エンハンスメントモード(e‑mode)コンセプトを、大量のエンドツーエンド生産によって成熟させています。この先進的な品質により、最高水準の基準が確保され、最も信頼性の高い性能が提供されます。エンハンスメントモードの CoolGaN™ 第2世代 650V パワートランジスタは、超高速スイッチングによりシステム効率と電力密度を向上させます。

結果: 12
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 技術
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4,511在庫
カットテープ
¥647.8
¥425.2
¥297.3
¥244.2
¥234.2
リール
¥197.7
最低: 1
複数: 1
: 5,000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4,815在庫
カットテープ
¥476.7
¥308.9
¥212.6
¥171.1
リール
¥133.5
最低: 1
複数: 1
: 5,000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4,699在庫
カットテープ
¥415.3
¥267.4
¥182.7
¥145.5
リール
¥113.1
最低: 1
複数: 1
: 5,000
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1,661在庫
1,800予想2027/01/28
カットテープ
¥1,828.8
¥1,046.4
¥993.3
¥936.8
¥810.6
リール
¥803.9
最低: 1
複数: 1
: 1,800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 977在庫
カットテープ
¥1,423.5
¥774
¥710.9
¥699.3
¥609.6
リール
¥569.7
最低: 1
複数: 1
: 1,800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1,262在庫
カットテープ
¥784
¥518.2
¥367.1
¥315.6
リール
¥255.8
最低: 1
複数: 1
: 1,800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 602在庫
カットテープ
¥2,214.1
¥1,484.9
¥1,375.3
¥1,192.6
リール
¥999.9
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 467在庫
カットテープ
¥1,832.1
¥1,019.9
¥973.3
¥795.6
リール
¥794
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 2,068在庫
カットテープ
¥1,466.7
¥798.9
¥715.9
リール
¥632.8
¥593
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 583在庫
カットテープ
¥1,224.2
¥656.1
¥601.3
¥483.4
リール
¥466.7
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
9,060取寄中
カットテープ
¥2,112.8
¥1,197.6
¥1,179.3
¥1,167.7
¥963.4
リール
¥961.7
最低: 1
複数: 1
: 1,800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement GaN
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
3,596予想2026/11/19
カットテープ
¥1,194.3
¥707.6
¥609.6
¥559.8
¥480
リール
¥480
最低: 1
複数: 1
: 1,800
SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement GaN