|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R140D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥647.8
-
4,511在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLR65R140D2XUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4,511在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
5,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
13 A
|
170 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
2.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
46 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R200D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥476.7
-
4,815在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLR65R200D2XUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4,815在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
5,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
9.2 A
|
240 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
1.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
33 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R270D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥415.3
-
4,699在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLR65R270D2XUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4,699在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
5,000
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
7.2 A
|
330 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
1.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
28 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R035D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,828.8
-
1,661在庫
-
1,800予想2027/01/28
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R035D2ATMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1,661在庫
1,800予想2027/01/28
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
42 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R045D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,423.5
-
977在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R045D2ATMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
977在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
38 A
|
54 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R110D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥784
-
1,262在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R110D2ATMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1,262在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
15 A
|
140 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
3.4 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,214.1
-
602在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGOT65R025D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
602在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
61 A
|
30 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
181 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R035D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,832.1
-
467在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGOT65R035D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
467在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
42 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
132 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R045D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,466.7
-
2,068在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGOT65R045D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
2,068在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
54 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
104 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,224.2
-
583在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGOT65R055D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
583在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
66 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
6.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
83 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥2,112.8
-
9,060取寄中
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R025D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
9,060取寄中
取寄中:
1,860 予想2026/10/08
3,600 予想2026/10/22
3,600 予想2027/05/20
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
67 A
|
30 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
219 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R055D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,194.3
-
3,596予想2026/11/19
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R055D2ATMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
3,596予想2026/11/19
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,800
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
66 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
6.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
104 W
|
Enhancement
|
GaN
|
|