750V NチャンネルSiC MOSFET

ローム株式会社（ROHM Semiconductor）750V NチャンネルSiC MOSFETは、スイッチング周波数をブーストできるため、コンデンサ、リアクタ、およびその他の必要なコンポーネントの量を削減できます。これらのSiC MOSFETは、TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA、TO-247-4Lパッケージでご用意があります。本デバイスは、静的ドレイン・ソース間オン状態抵抗［R_DS(on)］が13mΩ〜65mΩ（標準値）、連続ドレイン電流（I_D）およびソース電流（I_S）がそれぞれ22A〜120A（T_C=25°C）となっています。これらのROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETには、高耐電圧、低on抵抗、高速スイッチング特性が備わっており、SiC技術の独自の属性が活用されています。