SiC MOSFET – Mouser 日本

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650シリコンカーバイド (SiC) MOSFET

STMicroelectronics 650シリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、エリア毎の非常に低いオン状態抵抗（R_DS(on)）が特徴で、優れたスイッチング性能と組み合わされています。これよって、効率的な小型システムにすることができます。シリコンMOSFETに比べて、SiC MOSFETは、高温であっても領域あたりのオン状態抵抗が低くなっています。また、SiC MOSFETは、すべての温度範囲でのベストインクラスのIGBTに対する優れたスイッチング性能も特徴です。これによって、電子システムの電力熱設計を簡素化できます。

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結果: 10

適用されたフィルタ:

取り付け様式

パッケージ/ケース

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs - ゲート-ソース間電圧

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Qg - ゲート電荷

最高動作温度

Pd - 電力損失

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画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	取り付け様式	パッケージ/ケース	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	チャネルモード	認証
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package SCT027H65G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,260.6 475在庫 1,000取寄中	メーカ部品番号 SCT027H65G3AG Mouser 部品番号 511-SCT027H65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	475在庫 1,000取寄中	カットテープ ¥2,260.6 ¥1,285.6 ¥1,282.3 リール ¥1,212.5	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	60 A	39.3 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	48.6 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: ¥1,875.3 457在庫	メーカ部品番号 SCT040W65G3-4 Mouser 部品番号 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	457在庫	¥1,875.3 ¥1,024.8 ¥938.5	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥2,205.8 429在庫	メーカ部品番号 SCT040W65G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	429在庫	¥2,205.8 ¥1,642.7 ¥1,370.3 ¥1,220.8 ¥1,139.4	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package SCT055TO65G3 STMicroelectronics 1: ¥1,669.3 1,394在庫	メーカ部品番号 SCT055TO65G3 Mouser 部品番号 511-SCT055TO65G3	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	1,394在庫	カットテープ ¥1,669.3 ¥1,139.4 ¥940.1 ¥837.1 ¥784 リール ¥784	最低： 1 複数： 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	31 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A SCT040H65G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,185.9 540在庫 1,000予想2027/07/02	メーカ部品番号 SCT040H65G3AG Mouser 部品番号 511-SCT040H65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	540在庫 1,000予想2027/07/02	カットテープ ¥2,185.9 ¥1,629.4 ¥1,357 ¥1,209.2 リール ¥1,131.1 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	30 A	40 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	39.5 nC	- 55 C	+ 175 C	221 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,734 6在庫 1,000予想2027/09/03	メーカ部品番号 SCT018H65G3AG Mouser 部品番号 511-SCT018H65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	6在庫 1,000予想2027/09/03	カットテープ ¥2,734 ¥1,639.4 リール ¥1,531.4 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package SCT040TO65G3 STMicroelectronics 1: ¥1,863.6 8在庫 1,800予想2027/06/10	メーカ部品番号 SCT040TO65G3 Mouser 部品番号 511-SCT040TO65G3	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package STMicroelectronics stm 650 sic mosfets についての詳細を表示	データシート	8在庫 1,800予想2027/06/10	カットテープ ¥1,863.6 ¥1,317.2 ¥1,096.3 ¥978.3 ¥913.6 リール ¥913.6	最低： 1 複数： 1 : 1,800	SMD/SMT	TOLL-8	1 Channel	650 V	35 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	42.5 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package SCT018W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥3,102.7 600予想2027/11/05	メーカ部品番号 SCT018W65G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT018W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package	データシート	600予想2027/11/05	¥3,102.7 ¥2,363.6 ¥1,969.9 ¥1,639.4	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	77 nC	- 55 C	+ 200 C	398 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥1,950 600予想2027/06/04	メーカ部品番号 SCT055W65G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT055W65G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets についての詳細を表示	データシート	600予想2027/06/04	¥1,950 ¥1,410.2 ¥1,176 ¥1,048.1	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	32 nC	- 55 C	+ 200 C	210 W	Enhancement	AEC-Q100
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT018H65G3-7 STMicroelectronics 1: ¥2,617.7 非在庫リードタイム 25 週間新製品	メーカ部品番号 SCT018H65G3-7 Mouser 部品番号 511-SCT018H65G3-7 新製品	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 25 週間	カットテープ ¥2,617.7 ¥1,551.4 リール ¥1,468.3	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 10 V, 22 V	4.2 V	79.4 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement

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