SiCショットキーバリアダイオード

ROHM Semiconductor^® SiC（シリコンカーバイド）ショットキーバリアダイオードは、スイッチング損失を低減する低総容量（Q_c）を備え、高速スイッチング動作を可能にします。さらに、温度とともにTRRが増加するシリコンベースの高速リカバリダイオードとは異なり、SiCデバイスは一定の特性を維持し、より優れた性能をもたらします。これによって、本製品はEVおよびソーラーパワーコンディショナ用インバータや充電器をはじめとする、さまざまなアプリケーションでの主要デバイスとして使用するのに最適です。