PXNx Nチャネル論理レベルトレンチMOSFET

ネクスペリア (Nexperia) PXNx Nチャネル論理レベルトレンチMOSFETは、さまざまなアプリケーションで高効率電源管理実現するように設計されています。これらのネクスペリア (Nexperia) MOSFETは、オン状態抵抗 [RDS_（on）] が2.8mΩ～14mΩの範囲にあり、60Vおよび100Vドレインソース電圧（V_DS）をサポートします。これらのMOSFETは論理レベルの互換性を最適化しており、二次側同期整流、DC-DCコンバータ、モータドライブ、ロードスイッチング、LED照明などに適しています。これらのMOSFETは、熱効率に優れたMLPAK33およびMLPAK56パッケージに収容されており、コンパクトなフットプリントと優れた熱性能を実現しています。低ゲート充電（Qg）や高いアバランシェ耐性などの特長を備えたPXNx直列、過酷な環境下でも信頼性の高い動作を保証します。