TPSI2260-Q1強化ソリッドステートリレー

Texas Instruments TPSI2260-Q1強化ソリッドステートリレーは、高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計されています。絶縁型ソリッドステートリレーは、高信頼性の強化容量性絶縁技術と内蔵の双方向MOSFETを組み合わせることにより、2次側電源を必要としない完全に統合されたソリューションを形成しています。TIの容量性絶縁技術は、機械式リレーやフォトリレーに共通する機械的磨耗や光劣化による故障モードの影響を受けないため、システムの信頼性が向上します。TPSI2260-Q1の1次側はわずか5m の入力電流で電力供給されており、また、V_DD電源に逆電力が供給される可能性を防ぐフェイルセーフENピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスのV_DDピンを4.5V～20Vのシステム電源に接続し、デバイスのENピンを2.1V～20VのロジックHighのGPIO出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、V_DDピンおよびENピンを一緒にシステム電源から直接、またはGPIO出力から駆動できます。2次側は、S1からS2までのスタンドオフ電圧が±600Vの双方向MOSFETで構成されています。