CoolSiC™車載用750V G1 SiC Trench MOSFET

インフィニオン (Infineon) CoolSiC™ 車載用 750V G1 SiC トレンチMOSFETは、EVメーカーによる高効率、高電力密度、高信頼性を備えた11kWおよび22kWの双方向オンボードチャージャの開発を支援します。高温(Tj,max +175°C)でも信頼性の高い動作が可能なこれらのデバイスには、Infineon独自の技術が採用されています。XT ダイアタッチ技術により、同等のダイサイズでクラス最高の熱インピーダンスを実現します。

トランジスタのタイプ

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 720在庫
¥7,325
¥4,740.5
¥4,471.4
最低: 1
複数: 1
MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 281在庫
¥3,979.8
¥2,483.2
¥2,332
¥2,303.8
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 226在庫
¥1,674.3
¥1,079.7
¥916.9
¥795.6
¥779
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 171在庫
¥1,265.7
¥784
¥621.2
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS 288在庫
¥1,029.8
¥681
¥607.9
¥524.9
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
240予想2027/04/22
¥2,986.5
¥2,210.8
¥1,644.4
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS リードタイム 52 週間
¥3,773.8
¥2,649.3
¥2,101.2
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS リードタイム 52 週間
¥1,910.2
¥1,269
¥1,177.6
¥1,099.6
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel