8 Gbit 半導体

半導体のタイプ

カテゴリービューの変更
結果: 168
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS
Intelligent Memory DRAM DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
418予想2026/08/28
最低: 1
複数: 1

SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp
210予想2026/09/03
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
240予想2027/01/26
最低: 1
複数: 1

Macronix NAND Flash SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
220取寄中
最低: 1
複数: 1
最大: 50

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
557取寄中
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
544取寄中
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
5,250取寄中
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s IT
2,480取寄中
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
8,568取寄中
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
11,784取寄中
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
1,224取寄中
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
3,575取寄中
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
1,088予想2027/07/21
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
952取寄中
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
3,371取寄中
最低: 1
複数: 1
Alliance Memory DRAM 8G 512Mx16 800MHz 1.35V DDR3 ET
360予想2026/08/18
最低: 1
複数: 1

Alliance Memory DRAM 8G 512Mx16 800MHz 1.35V DDR3 IT
360予想2026/08/18
最低: 1
複数: 1

Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ INDUSTRIAL TEMP B Die(MT41K512M16HA-125IT:A),
720予想2026/12/17
最低: 1
複数: 1

ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
408取寄中
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
136予想2026/12/14
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
112取寄中
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
126取寄中
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp
136取寄中
最低: 1
複数: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 220
複数: 220

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 1
複数: 1