BGA-48 半導体

半導体のタイプ

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結果: 201
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 480
複数: 480

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 480
複数: 480

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2M x 8,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed-Automotive,Async,1024K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS, Automotive temp 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS, Automotive temp 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 48ball TFBGA, Industrial Temp - Tape & Reel 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 696
複数: 348

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 696
複数: 348

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 696
複数: 348

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 696
複数: 348

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 696
複数: 348

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 696
複数: 348

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 696
複数: 348

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000