BGA-48 半導体

結果: 213
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 480
複数： 240

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 3.3V 32Mb MRAM（磁気抵抗メモリ） with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 480
複数： 240

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 480
複数： 240

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V
データシート
在庫なし
最低： 480
複数： 480
: 480
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V
データシート
在庫なし
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500
ISSI IS62WV6416FBLL-45BLI
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1
複数： 1