ISSI メモリ IC

結果: 2,944
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品 製品タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース メモリ サイズ インタフェース タイプ
ISSI SRAM 1Mb (128Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
213予想2026/10/16
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT 1 Mbit Parallel
ISSI NORフラッシュ 64Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS
180予想2026/10/14
最低: 1
複数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 64 Mbit QPI, SPI
ISSI NAND Flash 1G 3V x8 1-bit NAND Flash
96取寄中
最低: 1
複数: 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 1 Gbit Parallel
ISSI NAND Flash 2G 3.3V x8 1-bit NAND Flash I-Temp
96予想2026/12/02
最低: 1
複数: 1

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
348取寄中
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
190予想2027/07/22
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-60
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
216予想2027/08/10
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
108予想2026/08/26
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
108取寄中
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
239取寄中
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
200予想2027/03/19
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit
ISSI IS25WP512M-RMLE-TY
ISSI NORフラッシュ 512Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS. dedicated reset pin, Tray
645予想2026/11/16
最低: 1
複数: 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 512 Mbit QPI
ISSI IS46TR16640C-125JBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
190予想2027/08/10
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns/2.4V-3.6V,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-36 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 480
複数: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Serial
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Serial
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 210
複数: 210

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

SRAM SMD/SMT mBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 480
複数: 480

SRAM SMD/SMT mBGA-48 16 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel

ISSI SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 2 Mbit Parallel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,128K x 8,12ns,5v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 1 Mbit Parallel