32 bit Tray メモリ IC

メモリ ICのタイプ

カテゴリービューの変更
結果: 125
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース メモリ サイズ インタフェース タイプ
ISSI DRAM SDRAM,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
5,250取寄中
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
3,833取寄中
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 90-ball FBGA, 143 MHz, Commercial Temp - Tray
2,142取寄中
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
540取寄中
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
190取寄中
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
239予想2027/07/12
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray
124予想2026/10/21
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 4 Gbit
Alliance Memory DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
348予想2026/08/26
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
24取寄中
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 非在庫リードタイム 10 週間
最低: 120
複数: 120

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 64 Mbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 非在庫リードタイム 10 週間
最低: 120
複数: 120

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 260
複数: 260

DRAM SMD/SMT FBGA-49 256 Mbit
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 240
複数: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 240
複数: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 136
複数: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 136
複数: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 在庫なし
最低: 2,500
複数: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 240
複数: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz 8Mx32 Mobile SDR 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit