32 bit メモリ IC

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選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS 製品タイプ
取り付け様式
パッケージ/ケース
メモリ サイズ
インタフェース タイプ
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1
複数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1
複数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-49 256 Mbit
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 260
複数： 260

DRAM SMD/SMT FBGA-49 256 Mbit
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 210
複数： 210

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
: 1,000

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 240
複数： 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
データシート
非在庫リードタイム 8 週間
最低： 240
複数： 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 136
複数： 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 136
複数： 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
データシート
在庫なし
最低： 2,500
複数： 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS T&R
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 240
複数： 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 240
複数： 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit