18 bit メモリ IC

メモリ ICのタイプ

カテゴリービューの変更
結果: 36
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース メモリ サイズ
Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1

FIFO SMD/SMT TQFP-64 72 kbit
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 在庫なし
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 在庫なし
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 在庫なし
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 在庫なし
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 50
複数: 1
いいえ
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 50
複数: 1
いいえ
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 104
複数: 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit