512 Mbit メモリ IC

結果: 946
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品 製品タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース メモリ サイズ インタフェース タイプ
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV13
Infineon Technologies NORフラッシュ Nor 非在庫リードタイム 19 週間
最低: 1,600
複数: 1,600
: 1,600
いいえ
NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV23
Infineon Technologies NORフラッシュ Nor 非在庫リードタイム 19 週間
最低: 1,600
複数: 1,600
: 1,600
いいえ
NOR Flash 512 Mbit
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 2,000
複数: 2,000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 512 Mbit
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, Ind. Temp. 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 2,000
複数: 2,000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 512 Mbit
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,000
複数: 2,000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 512 Mbit
Zentel Japan DRAM DDR1 512Mb, 32Mx16, 200MHz at CL3, 2.5V, TSOPII-66 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 512 Mbit
Zentel Japan DRAM DDR1 512Mb, 32Mx16, 200MHz at CL3, 2.5V, TSOPII-66, Ind. Temp. 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 1,080
複数: 1,080

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 512 Mbit

ISSI NORフラッシュ 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin. T&R, Auto Grade, new die 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1
複数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 240
複数: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 240
複数: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit