16 bit MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 168
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
¥4,290.4
最低: 1,056
複数: 96
TSOP-54 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C 在庫なし
¥5,464.7
最低: 1,008
複数: 168
FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C 在庫なし
¥5,464.7
最低: 1,056
複数: 96
TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C 在庫なし
¥5,738.8
最低: 1,008
複数: 168
FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C 在庫なし
¥5,738.8
最低: 1,056
複数: 96
TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
¥5,203.9
最低: 1,008
複数: 168
FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
¥5,203.9
最低: 1,056
複数: 96
TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
¥5,464.7
最低: 1,008
複数: 168
FBGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Avalanche Technology MRAM(磁気抵抗メモリ) 在庫なし
¥5,464.7
最低: 1,056
複数: 96
TSOP-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3008316 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,729
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥3,116
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥2,627.7
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,548
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥5,072.7
最低: 270
複数: 135
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,170.7
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥3,586.1
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥3,160.9
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥3,780.4
最低: 270
複数: 135
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥3,473.2
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,612.8
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥4,069.5
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥3,888.4
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥3,838.6
最低: 270
複数: 135
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥3,949.9
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥3,383.5
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Tray