8 bit 0 C MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 22
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 656在庫
¥8,683.7
¥8,026
¥7,766.8
¥7,572.5
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 905在庫
¥3,730.6
¥3,454.9
¥3,345.3
¥3,263.9
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 65在庫
¥1,956.7
¥1,817.1
¥1,762.3
¥1,720.8
最低: 1
複数: 1
SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 1,620在庫
¥6,989.5
¥6,466.3
¥6,258.6
¥6,105.8
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
581予想2027/01/13
¥2,109.5
¥1,960
¥1,898.5
¥1,853.7
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥2,954.9
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,898.4
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,984.8
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 非在庫リードタイム 26 週間
¥1,543.1
最低: 960
複数: 480
BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥1,573
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥1,614.5
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥1,607.8
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥1,813.8
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥1,451.7
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥3,074.5
最低: 1,140
複数: 570
DFN-8 SPI 4 Mbit 812 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA 0 C + 70 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,855.3
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 4 Mbit 812 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA 0 C + 70 C MR25H40 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥4,958.1
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥4,901.6
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥4,959.7
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥8,927.9
最低: 480
複数: 240
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥8,766.8
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥6,798.5
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel