|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR4A08BYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥8,683.7
-
656在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR4A08BYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
656在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR4A08B
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR0A08BYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥3,730.6
-
905在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR0A08BYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
905在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A08B
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C
- MR10Q010SC
- Everspin Technologies
-
1:
¥1,956.7
-
65在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR10Q010SC
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C
|
|
65在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
SOIC-16
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR10Q010
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR2A08AYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥6,989.5
-
1,620在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR2A08AYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
1,620在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
30 mA, 90 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR2A08A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR256A08BYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥2,109.5
-
581予想2027/01/13
|
Mouser 部品番号
936-MR256A08BYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
581予想2027/01/13
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR256A08B
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR0A08BMA35
- Everspin Technologies
-
696:
¥2,954.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A08BMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 696
複数: 348
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A08B
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR0A08BMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥2,898.4
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A08BMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 2,000
複数: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR0A08BYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥2,984.8
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A08BYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 1,500
複数: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C
- MR10Q010MB
- Everspin Technologies
-
960:
¥1,543.1
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR10Q010MB
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 960
複数: 480
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR10Q010
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C
- MR10Q010MBR
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥1,573
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR10Q010MBR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 2,000
複数: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR10Q010
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C
- MR10Q010SCR
- Everspin Technologies
-
1,000:
¥1,614.5
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR10Q010SCR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 1,000
複数: 1,000
:
1,000
|
|
|
SOIC-16
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR10Q010
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR256A08BMA35
- Everspin Technologies
-
696:
¥1,607.8
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR256A08BMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 696
複数: 348
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR256A08B
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR256A08BMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥1,813.8
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR256A08BMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 2,000
複数: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR256A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR256A08BYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥1,451.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR256A08BYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 1,500
複数: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR256A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR25H40DF
- Everspin Technologies
-
1,140:
¥3,074.5
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR25H40DF
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 1,140
複数: 570
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
4 Mbit
|
812 k x 8
|
8 bit
|
25 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
13.8 mA, 33 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR25H40
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR25H40DFR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥2,855.3
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR25H40DFR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 4,000
複数: 4,000
:
4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
4 Mbit
|
812 k x 8
|
8 bit
|
25 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
13.8 mA, 33 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR25H40
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR2A08AMA35
- Everspin Technologies
-
696:
¥4,958.1
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR2A08AMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 696
複数: 348
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
30 mA, 90 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR2A08A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR2A08AMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥4,901.6
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR2A08AMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 2,000
複数: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
30 mA, 90 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR2A08A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR2A08AYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥4,959.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR2A08AYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 1,500
複数: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
30 mA, 90 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR2A08A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR4A08BMA35
- Everspin Technologies
-
480:
¥8,927.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR4A08BMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 480
複数: 240
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR4A08B
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR4A08BMA35R
- Everspin Technologies
-
2,500:
¥8,766.8
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR4A08BMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 2,500
複数: 2,500
:
2,500
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR4A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR4A08BYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥6,798.5
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR4A08BYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 1,500
複数: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR4A08B
|
Reel
|
|