8 bit MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 245
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥4,901.6
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥7,653.9
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥4,959.7
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥10,017.5
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥9,706.9
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥9,042.5
最低: 480
複数: 240
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥8,766.8
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥12,430.9
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥6,798.5
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥1,606.2
最低: 1,140
複数: 570
DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥1,764
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,639.3
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥1,541.4
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥1,589.6
最低: 1,140
複数: 570
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥3,013.1
最低: 1,140
複数: 570
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,925
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 非在庫リードタイム 26 週間
¥3,107.7
最低: 1,140
複数: 570
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥3,001.4
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥4,209
最低: 1,140
複数: 570
DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥3,971.5
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Reel