+ 125 C MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 37
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 1,047在庫
カットテープ
¥15,254.6
¥14,068.7
¥13,608.6
¥13,264.7
リール
¥11,480.8
最低: 1
複数: 1
: 1,000
TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 228在庫
¥10,439.4
¥9,643.8
¥9,329.8
¥9,097.3
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI 1,115在庫
¥2,943.3
¥2,730.7
¥2,644.3
¥2,581.2
最低: 1
複数: 1
DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade 139在庫
¥118,550.6
¥108,953.3
最低: 1
複数: 1
BGA-24 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade 75在庫
¥116,720.1
¥107,274
最低: 1
複数: 1
DFN-8 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 64Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade 139在庫
¥40,184.6
¥36,518.7
¥35,462.4
最低: 1
複数: 1
BGA-24 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 64Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade 104在庫
100予想2026/11/05
¥40,184.6
¥36,518.7
¥35,462.4
最低: 1
複数: 1
DFN-8 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 2,830在庫
¥3,210.7
¥2,976.5
¥2,883.5
¥2,813.7
最低: 1
複数: 1
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 810在庫
¥15,731.3
¥14,513.8
¥14,038.8
¥13,685
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 238在庫
¥16,090.1
¥14,339.4
¥13,869.4
¥13,605.3
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI
1,709予想2027/04/21
¥3,361.9
¥3,117.7
¥3,019.7
¥2,946.6
最低: 1
複数: 1
DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(磁気抵抗メモリ) 74在庫
270予想2027/02/10
¥10,758.3
¥9,941.1
¥9,618.9
¥9,379.7
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 61在庫
¥3,655.9
¥3,390.1
¥3,147.6
¥3,069.5
最低: 1
複数: 1
DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
50予想2026/11/05
¥349,838.2
最低: 1
複数: 1
BGA-24 Serial 256 Mbit 32 M x 8 1.65 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
9,934取寄中
¥10,097.2
¥9,328.2
¥9,025.9
¥8,800
最低: 1
複数: 1
DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥5,072.7
最低: 270
複数: 135
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,170.7
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥6,117.5
最低: 270
複数: 135
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,846.7
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,330.4
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,280.6
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,476.6
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥7,745.2
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥7,653.9
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥8,231.9
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Reel