|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR4A16BUYS45R
- Everspin Technologies
-
1:
¥15,254.6
-
1,047在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR4A16BUYS45R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
1,047在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
:
1,000
|
|
|
TSOP-II-54
|
Parallel
|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
16 bit
|
45 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR4A16B
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR2A08AMYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥10,439.4
-
228在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR2A08AMYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
228在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
30 mA, 90 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR2A08A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
- MR25H128AMDF
- Everspin Technologies
-
1:
¥2,943.3
-
1,115在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR25H128AMDF
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
|
|
1,115在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
128 kbit
|
16 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H128A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
- EM128LXQAB313HS2T
- Everspin Technologies
-
1:
¥118,550.6
-
139在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQAB313HS2T
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
|
|
139在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
BGA-24
|
QSPI
|
128 Mbit
|
16 M x 9
|
|
|
1.7 V
|
2 V
|
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
- EM128LXQADG13HS2T
- Everspin Technologies
-
1:
¥116,720.1
-
75在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQADG13HS2T
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
|
|
75在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
DFN-8
|
QSPI
|
128 Mbit
|
16 M x 9
|
|
|
1.7 V
|
2 V
|
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 64Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
- EM064LXQAB313HS2T
- Everspin Technologies
-
1:
¥40,184.6
-
139在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M064LXQAB313HS2T
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 64Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
|
|
139在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
BGA-24
|
QSPI
|
64 Mbit
|
8 M x 8
|
|
|
1.7 V
|
2 V
|
48.5 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 64Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
- EM064LXQADG13HS2T
- Everspin Technologies
-
1:
¥40,184.6
-
104在庫
-
100予想2026/11/05
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M064LXQADG13HS2T
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 64Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
|
|
104在庫
100予想2026/11/05
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
DFN-8
|
QSPI
|
64 Mbit
|
8 M x 8
|
|
|
1.7 V
|
2 V
|
48.5 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
- MR25H256AMDF
- Everspin Technologies
-
1:
¥3,210.7
-
2,830在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR25H256AMDF
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
|
|
2,830在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H256
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR4A08BUYS45
- Everspin Technologies
-
1:
¥15,731.3
-
810在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR4A08BUYS45
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
810在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
16 Mbit
|
2 M x 8
|
8 bit
|
45 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR4A08B
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR4A16BUYS45
- Everspin Technologies
-
1:
¥16,090.1
-
238在庫
|
Mouser 部品番号
936-MR4A16BUYS45
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
238在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
TSOP-II-54
|
Parallel
|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
16 bit
|
45 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 152 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR4A16B
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI
- MR25H10MDF
- Everspin Technologies
-
1:
¥3,361.9
-
1,709予想2027/04/21
|
Mouser 部品番号
936-MR25H10MDF
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI
|
|
1,709予想2027/04/21
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H10
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR2A16AMYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥10,758.3
-
74在庫
-
270予想2027/02/10
|
Mouser 部品番号
936-MR2A16AMYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
74在庫
270予想2027/02/10
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR2A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR25H10MDC
- Everspin Technologies
-
1:
¥3,655.9
-
61在庫
-
NRND
|
Mouser 部品番号
936-MR25H10MDC
NRND
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
61在庫
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H10
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
- EM256LXQAB313HS2T
- Everspin Technologies
-
1:
¥349,838.2
-
50予想2026/11/05
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M256LXQAB313HS2T
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
|
|
50予想2026/11/05
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
BGA-24
|
Serial
|
256 Mbit
|
32 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
- MR25H40MDF
- Everspin Technologies
-
1:
¥10,097.2
-
9,934取寄中
|
Mouser 部品番号
936-MR25H40MDF
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
|
|
9,934取寄中
取寄中:
4,234 予想2027/01/20
5,700 予想2027/03/24
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
25 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
13.8 mA, 33 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H40
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR0A16AMYS35
- Everspin Technologies
-
270:
¥5,072.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16AMYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 270
複数: 135
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR0A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR0A16AMYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥5,170.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16AMYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 1,500
複数: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR1A16AMYS35
- Everspin Technologies
-
270:
¥6,117.5
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR1A16AMYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 270
複数: 135
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR1A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR1A16AMYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥5,846.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR1A16AMYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 1,500
複数: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR1A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI
- MR25H10MDFR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥2,330.4
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR25H10MDFR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 4,000
複数: 4,000
:
4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H10
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
- MR25H128AMDFR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥2,280.6
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR25H128AMDFR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 4,000
複数: 4,000
:
4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
128 kbit
|
16 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H128A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
- MR25H256AMDFR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥2,476.6
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR25H256AMDFR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 4,000
複数: 4,000
:
4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H256
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR25H40MDFR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥7,745.2
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR25H40MDFR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 4,000
複数: 4,000
:
4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
25 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
13.8 mA, 33 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H40
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR2A08AMYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥7,653.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR2A08AMYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ)
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低: 1,500
複数: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
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4 Mbit
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512 k x 8
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8 bit
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35 ns
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3 V
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3.6 V
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30 mA, 90 mA
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- 40 C
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+ 125 C
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MR2A08A
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Reel
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MRAM(磁気抵抗メモリ) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(磁気抵抗メモリ)
- MR2A16AMYS35R
- Everspin Technologies
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1,500:
¥8,231.9
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非在庫リードタイム 26 週間
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Mouser 部品番号
936-MR2A16AMYS35R
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Everspin Technologies
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MRAM(磁気抵抗メモリ) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(磁気抵抗メモリ)
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非在庫リードタイム 26 週間
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最低: 1,500
複数: 1,500
:
1,500
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TSOP-II-44
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Parallel
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4 Mbit
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256 k x 16
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16 bit
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35 ns
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3 V
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3.6 V
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55 mA, 105 mA
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- 40 C
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+ 125 C
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MR2A16A
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Reel
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