|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2R
- EM128LXQADG13IS1R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥39,822.5
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQADG13IS1R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2R
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
128 Mbit
|
16 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
125 mA, 157 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
- EM128LXQADG13IS2R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥39,844.1
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQADG13IS2R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
128 Mbit
|
16 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
125 mA, 157 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A08BCMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥3,121
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A08BCMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR0A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A08BCYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥3,630.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A08BCYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,500
複数： 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR0A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A08BMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥2,898.4
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A08BMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A08BYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥3,018
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A08BYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,500
複数： 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A16ACMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥3,033
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16ACMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A16ACYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥3,159.2
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16ACYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,500
複数： 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A16AMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥2,833.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16AMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A16AMYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥5,170.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16AMYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,500
複数： 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A16AVMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥3,518
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16AVMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A16AVYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥3,473.2
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16AVYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,500
複数： 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A16AYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥2,968.2
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16AYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,500
複数： 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） -40 to +85C
- MR10Q010CMBR
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥1,760.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR10Q010CMBR
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） -40 to +85C
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR10Q010
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） -40 to +85C
- MR10Q010CSCR
- Everspin Technologies
-
1:
¥2,297.2
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR10Q010CSCR
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） -40 to +85C
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
|
¥2,297.2
|
|
|
¥2,132.7
|
|
|
¥2,067.9
|
|
|
¥2,018.1
|
|
|
表示
|
|
|
¥1,808.8
|
|
|
¥1,968.3
|
|
|
¥1,903.5
|
|
|
¥1,855.3
|
|
|
¥1,808.8
|
|
最低： 1
複数： 1
:
1,000
|
|
|
SOIC-16
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR10Q010
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） 0 to +70C
- MR10Q010MBR
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥1,573
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR10Q010MBR
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） 0 to +70C
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR10Q010
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） 0 to +70C
- MR10Q010SCR
- Everspin Technologies
-
1:
¥2,051.3
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR10Q010SCR
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） 0 to +70C
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
|
¥2,051.3
|
|
|
¥1,905.2
|
|
|
¥1,847
|
|
|
¥1,802.2
|
|
|
表示
|
|
|
¥1,616.2
|
|
|
¥1,759
|
|
|
¥1,700.9
|
|
|
¥1,657.7
|
|
|
¥1,616.2
|
|
最低： 1
複数： 1
:
1,000
|
|
|
SOIC-16
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR10Q010
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） -40 - +105C
- MR10Q010VMBR
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥2,001.5
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR10Q010VMBR
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） -40 - +105C
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR10Q010
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR10Q010VSCR
- Everspin Technologies
-
1,000:
¥1,936.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR10Q010VSCR
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,000
複数： 1,000
:
1,000
|
|
|
SOIC-16
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR10Q010
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR1A16ACMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥3,893.4
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR1A16ACMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR1A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR1A16ACYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥4,044.5
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR1A16ACYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,500
複数： 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR1A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR1A16AMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥3,690.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR1A16AMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR1A16A
|
Reel
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MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR1A16AMYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥6,213.8
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR1A16AMYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
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非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,500
複数： 1,500
:
1,500
|
|
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TSOP-II-44
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Parallel
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2 Mbit
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128 k x 16
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16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
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- 40 C
|
+ 125 C
|
MR1A16A
|
Reel
|
|
|
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MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR1A16AVMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥4,672.4
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR1A16AVMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR1A16A
|
Reel
|
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MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR1A16AVYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
¥4,360.1
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR1A16AVYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 1,500
複数： 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
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+ 105 C
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MR1A16A
|
Reel
|
|
日本
