|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR25H256MDCR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥2,971.5
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
NRND
|
Mouser 部品番号
936-MR25H256MDCR
NRND
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H256
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
- MR25H256MDFR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥3,052.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
NRND
|
Mouser 部品番号
936-MR25H256MDFR
NRND
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H256
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR25H40CDCR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥4,089.4
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
NRND
|
Mouser 部品番号
936-MR25H40CDCR
NRND
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
25 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
13.8 mA, 33 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR25H40
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM004LXQBB310ISCR
- EM004LXQBB310ISCR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥1,571.3
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M004LXQBB310ISCR
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM004LXQBDH10ISCR
- EM004LXQBDH10ISCR
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥1,471.6
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M004LXQBDH10ISCR
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM008LXOAB320CS2R
- EM008LXOAB320CS2R
- Everspin Technologies
-
960:
¥3,670.8
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M008LXOAB320CS2R
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
:
480
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM008LXOAB320IS2R
- EM008LXOAB320IS2R
- Everspin Technologies
-
960:
¥3,934.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M008LXOAB320IS2R
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
:
480
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM008LXQAB313CS2R
- EM008LXQAB313CS2R
- Everspin Technologies
-
960:
¥3,494.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M008LXQAB313CS2R
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
:
480
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM008LXQAB313IS2R
- EM008LXQAB313IS2R
- Everspin Technologies
-
960:
¥3,728.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M008LXQAB313IS2R
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
:
480
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM008LXQADG13CS2R
- EM008LXQADG13CS2R
- Everspin Technologies
-
960:
¥3,494.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M008LXQADG13CS2R
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
:
480
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM008LXQADG13IS2R
- EM008LXQADG13IS2R
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥3,584.4
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M008LXQADG13IS2R
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM008LXQBB310ISCR
- EM008LXQBB310ISCR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥1,983.2
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M008LXQBB310ISCR
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM008LXQBDH10ISCR
- EM008LXQBDH10ISCR
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥1,928.4
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M008LXQBDH10ISCR
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM016LXOAB320CS2R
- EM016LXOAB320CS2R
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥3,949.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M016LXOAB320CS2R
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM016LXOAB320IS2R
- EM016LXOAB320IS2R
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥4,218.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M016LXOAB320IS2R
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM016LXQAB313CS2R
- EM016LXQAB313CS2R
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥3,752.2
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQAB313CS2R
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM016LXQAB313IS2R
- EM016LXQAB313IS2R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥4,006.3
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQAB313IS2R
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM016LXQADG13CS2R
- EM016LXQADG13CS2R
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥3,752.2
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQADG13CS2R
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM016LXQADG13IS2R
- EM016LXQADG13IS2R
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥4,006.3
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQADG13IS2R
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM016LXQBB310ISCR
- EM016LXQBB310ISCR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥2,260.6
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBB310ISCR
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM016LXQBDH10ISCR
- EM016LXQBDH10ISCR
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥2,169.3
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M016LXQBDH10ISCR
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM032LXQAB310ISCR
- EM032LXQAB310ISCR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥4,341.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M032LXQAB310ISCR
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM032LXQADG10ISCR
- EM032LXQADG10ISCR
- Everspin Technologies
-
2,000:
¥4,042.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M032LXQADG10ISCR
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 2,000
複数： 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM064LXQAB310ISCR
- EM064LXQAB310ISCR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥8,090.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M064LXQAB310ISCR
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
Everspin Technologies EM064LXQAB313HS2R
- EM064LXQAB313HS2R
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥33,045.6
-
非在庫リードタイム 26 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
936-M064LXQAB313HS2R
新製品
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
:
4,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
日本
