|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 64Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz SUGGESTED ALTERNATE EM064LXOAB320ES2T
- EM064LXOAB320ES1T
- Everspin Technologies
-
960:
¥10,763.3
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M064LXOAB320ES1T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 64Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz SUGGESTED ALTERNATE EM064LXOAB320ES2T
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
64 Mbit
|
8 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 64Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
- EM064LXQAB313CS2T
- Everspin Technologies
-
960:
¥11,517.4
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M064LXQAB313CS2T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 64Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
64 Mbit
|
8 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 64Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM064LXQAB313ES2T
- EM064LXQAB313ES1T
- Everspin Technologies
-
960:
¥9,892.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M064LXQAB313ES1T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 64Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM064LXQAB313ES2T
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
64 Mbit
|
8 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
- EM064LXQADG13CS2T
- Everspin Technologies
-
580:
¥11,205.1
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M064LXQADG13CS2T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 580
複数： 290
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
64 Mbit
|
8 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM064LXQADG13ES2T
- EM064LXQADG13ES1T
- Everspin Technologies
-
580:
¥9,618.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M064LXQADG13ES1T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM064LXQADG13ES2T
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 580
複数： 290
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
64 Mbit
|
8 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
124 mA, 156 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXOAB320CS2T
- EM128LXOAB320CS1T
- Everspin Technologies
-
960:
¥39,282.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M128LXOAB320CS1T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXOAB320CS2T
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
128 Mbit
|
16 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
125 mA, 157 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz
- EM128LXOAB320CS2T
- Everspin Technologies
-
960:
¥39,701.2
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M128LXOAB320CS2T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
128 Mbit
|
16 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
125 mA, 157 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQAB313CS2T
- EM128LXQAB313CS1T
- Everspin Technologies
-
960:
¥37,749.5
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQAB313CS1T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQAB313CS2T
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
128 Mbit
|
16 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
125 mA, 157 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
- EM128LXQAB313CS2T
- Everspin Technologies
-
960:
¥36,844.3
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQAB313CS2T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
128 Mbit
|
16 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
125 mA, 157 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
- EM128LXQAB313ES2T
- Everspin Technologies
-
960:
¥44,624.4
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQAB313ES2T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
128 Mbit
|
16 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
125 mA, 157 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQAB313IS2T
- EM128LXQAB313IS1T
- Everspin Technologies
-
960:
¥40,259.3
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQAB313IS1T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQAB313IS2T
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
128 Mbit
|
16 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
125 mA, 157 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13CS2T
- EM128LXQADG13CS1T
- Everspin Technologies
-
580:
¥38,040.2
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQADG13CS1T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13CS2T
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 580
複数： 290
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
128 Mbit
|
16 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
125 mA, 157 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
- EM128LXQADG13CS2T
- Everspin Technologies
-
580:
¥37,317.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQADG13CS2T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 580
複数： 290
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
128 Mbit
|
16 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
125 mA, 157 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2T
- EM128LXQADG13IS1T
- Everspin Technologies
-
580:
¥42,666.1
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-M128LXQADG13IS1T
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2T
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 580
複数： 290
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
128 Mbit
|
16 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
125 mA, 157 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A08BMA35
- Everspin Technologies
-
696:
¥2,652.6
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A08BMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 696
複数： 348
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A08B
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A16AMA35
- Everspin Technologies
-
696:
¥2,627.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16AMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 696
複数： 348
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A16AMYS35
- Everspin Technologies
-
270:
¥4,463.1
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16AMYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 270
複数： 135
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR0A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A16AVMA35
- Everspin Technologies
-
696:
¥3,224
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16AVMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 696
複数： 348
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR0A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR0A16AVYS35
- Everspin Technologies
-
1:
¥3,788.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR0A16AVYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
|
¥3,788.7
|
|
|
¥3,511.4
|
|
|
¥3,400.1
|
|
|
¥3,317
|
|
|
¥3,200.7
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR0A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） 0 to +70C
- MR10Q010MB
- Everspin Technologies
-
960:
¥1,391.9
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR10Q010MB
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） 0 to +70C
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR10Q010
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） -40 - +105C
- MR10Q010VMB
- Everspin Technologies
-
960:
¥1,795.5
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR10Q010VMB
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） -40 - +105C
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 960
複数： 480
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR10Q010
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR1A16ACMA35
- Everspin Technologies
-
696:
¥3,700.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR1A16ACMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 696
複数： 348
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR1A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR1A16ACYS35
- Everspin Technologies
-
270:
¥3,838.6
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR1A16ACYS35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 270
複数： 135
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR1A16A
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR1A16AMA35
- Everspin Technologies
-
696:
¥3,396.7
-
非在庫リードタイム 26 週間
|
Mouser 部品番号
936-MR1A16AMA35
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 26 週間
|
|
最低： 696
複数： 348
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
0 C
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+ 70 C
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MR1A16A
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Tray
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MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR1A16AMYS35
- Everspin Technologies
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270:
¥5,492.9
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非在庫リードタイム 26 週間
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Mouser 部品番号
936-MR1A16AMYS35
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Everspin Technologies
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MRAM（磁気抵抗メモリ）
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非在庫リードタイム 26 週間
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最低： 270
複数： 135
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TSOP-II-44
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Parallel
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2 Mbit
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128 k x 16
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16 bit
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35 ns
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3 V
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3.6 V
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55 mA, 105 mA
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- 40 C
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+ 125 C
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MR1A16A
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Tray
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日本
