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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
03/17/2026
03/17/2026
定格電圧1,200Vが特徴で、41.6mm × 52.5mm のパッケージに収められており、第4世代SiC MOSFETが統合されています。
ROHM Semiconductor 750V NチャンネルSiC MOSFET
10/17/2025
10/17/2025
デバイスはスイッチング周波数をブーストし、コンデンサ、リアクタ、その他必要なコンポーネントを減少させます。
ROHM Semiconductor RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFET
10/16/2025
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFETは、低順方向電圧、高速リカバリ時間、高サージ能力を備えています。
ROHM Semiconductor RF202LB2S超高速リカバリダイオード
08/21/2025
08/21/2025
低 VF 、かつ低スイッチング損失が特長のシリコンエピタキシャルプレーナ型超高速リカバリダイオードです。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V Nチャネル SiC パワーMOSFET
08/21/2025
08/21/2025
ドレイン・ソース間電圧 1700V（VDSS）、および連続ドレイン電流3.9A（ID）の定格SiC MOSFETです。
ROHM Semiconductor RNxMFH 車載グレードPINダイオード
08/21/2025
08/21/2025
車載グレードダイオードで、超小型モールドパッケージになっており、高周波数スイッチングに適しています。
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
100V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7G04 40V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
これらのデバイスは、AEC-Q101認定、40V VDSS 、±40A ID定格車載グレードMOSFETです。
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA Pch -30V, パワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
-30V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V Pチャンネル小信号MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
ドレイン－ソース電圧-40V (VDSS)、および連続ドレイン電流±4,0A (ID) 定格MOSFETです。
ROHM Semiconductor RH7L03 60V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
60V VDSS 、および±35A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V PチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
-60V VDSS 、および±36A ID 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
40V VDSS 、および±12A ID 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7L04 60V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
AEC-Q101認定を取得済で、60V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETです。
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP, 160V 1.5A, パワートランジスタ
08/06/2025
08/06/2025
このパワートランジスタはVCE(sat) が低く、低周波増幅用途に最適です。
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Qorvo QPD1000A GaN入力整合トランジスタ
10/14/2026
10/14/2026
28V電源レール上で30MHz～1215MHzの範囲で動作する50Ω入力整合ディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Qorvo QPD2562L GaN RFパワートランジスタ
10/06/2026
10/06/2026
2.5GHz～2.9GHz、および2.9GHz～3.3GHzで動作する200W～300WのディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFETモジュール
10/02/2026
10/02/2026
電気商用車用トラクションインバータ向け1400V CoolSiC MOSFETモジュールです。
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 単方向シングルラインTVS
09/15/2026
09/15/2026
電源ラインまたはその他の低速I/OをESDおよび小さなサージトランジェントから保護するように設計されています。
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09/14/2026
09/14/2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
Littelfuse AK10-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
09/10/2026
09/10/2026
AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
Texas Instruments JFE2325デュアル低電力NチャンネルJFET
09/09/2026
09/09/2026
エレクトレットコンデンサマイクロホン（ECM）など、非常に高いインピーダンスのセンサとの使用を想定しています。
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、13.5 mΩ、147 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、21 mΩ、102 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、55 mΩ、48.3 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
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