Microchip Technology 23AA04M／23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM
Microchip Technology 23AA04Mおよび23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAMは、シリアルペリフェラルインターフェイス (SPI) 互換性のシリアル・バスを通じてアクセスできるランダム・アクセス・メモリ・デバイスです。SRAMは、4096Kビット低電力およびシングル電圧の読み取り/書き込み動作が特徴です。23AA04Mと23LCV04Mは、より速いデータレートと143MHzの高速クロック周波数を目的としたシリアルデュアルインターフェイス(SDI) およびシリアルクワッドインターフェイス(SQI) をサポートします。SRAMは、内蔵エラー訂正コード(ECC) 論理を提供し、高信頼性が保証されます。Microchip Technology 23AA04Mおよび23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAMは、読み取りと書き込みのためにバイト、ページ、シーケンシャルモードを備えた256 x 8ビット編成を提供します。SRAMは、無制限の読み取り/書き込みサイクルと外部バッテリのバックアップサポートで動作します。このデバイスは、ハロゲンフリーで、RoHSに準拠しています。
特徴
- 4096Kビット低電力SRAM
- 単一電圧の読み取りおよび書き込み動作
- 1.7 ~ 3.6V (23AA04M)
- 2.2V ~ 3.6V (23LCV04M)
- シリアルインターフェイスのアーキテクチャ
- SPIモード0および3との互換性
- SDIとSQIをサポート
- 高速クロック周波数：143MHz
- 内蔵エラー訂正コード(ECC) 論理による高信頼性
- 無制限の読み書きサイクル
- 外部バッテリのバックアップをサポート
- 書き込み時間ゼロ
- 低電力消費
- SPI／SDI／SQIの場合、最大アクティブ読み取り電流は6mA (40MHz、3.6V時)
- 標準スタンバイ電流：+25°Cで140μA
- 256 x 8ビット編成
- ユーザー選択可能な32バイトまたは256バイトのページサイズ
- バイト、ページ、シーケンシャルモード (読み取りと書き込み用)
- パッケージのオプション
- 8リード PDIP、8リード SOIC、8リード TSSOP
- 14リード PDIP、14リード SOIC、14リード TSSOP
- ハロゲンフリー、RoHS準拠
仕様
- 3.9Vcc 絶対定格電圧
- 最大アクティブ読み取り電流：6mA
- 標準スタンバイ電流：140μA
- 4096Kbits密度
- -0.3V〜Vcc+0.3V すべての入力および出力
- 143MHz最高クロック周波数
- 2kV ESD保護
- 周囲温度範囲: -40°C～+85°C
- 保存温度範囲: -65°C ~ +150°C
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公開: 2024-04-01
| 更新済み: 2024-05-17