Diodes Incorporated MMBFx NチャンネルエンハンストモードMOSFET
Diodes Inc. MMBFx NチャンネルエンハンスモードMOSFETは、オン状態抵抗（RDS(ON)）を最小限に抑えるように設計されており、卓越した切替性能を維持しています。 MMBFx MOSFETは、低ゲート閾値電圧、入力容量、入力/出力漏洩を実現しています。 これらのMOSFETは、効率性の高い電力管理アプリケーションに理想的です。 アプリケーションには、電源管理機能および アナログ
特徴
- Low on-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Lead-free and fully RoHS compliant
- Halogen and Antimony free green device
- AEC-Q101 qualified standards for high reliability
- PPAP Capable
仕様
- Materials
- SOT23 case
- Molded plastic case material
- 94V-0 UL flammability classification rating
- Level 1 per J-STD-020 moisture sensitivity
- Matte tin finish annealed over alloy 42 lead frame (Lead-Free Plating) terminals
- 0.008g weight (approximate)
- Ratings
- 60V drain-source voltage
- 60V drain-gate voltage
- 417K/W thermal resistance
- Thermal
- -55°C to +150°C operating and storage temperature range
- Electrical
- 70V typical drain-source breakdown voltage
- 1.0µA drain current
- 40pF maximum input capacitance
- 30pF maximum output capacitance
- 5.0pF maximum reverse transfer capacitance
- 10ns maximum turn-on/turn-off time
公開: 2016-05-02
| 更新済み: 2022-03-11